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PECVD氣相沉積系統(tǒng)
  • PEALD等離子增強(qiáng)原... 等離子增強(qiáng)原子層沉積(PEALD)系統(tǒng)是一種先進(jìn)的薄膜沉積技術(shù),結(jié)合了等離子體和原子層沉積(ALD)的優(yōu)點,以實現(xiàn)更高的...
  • 等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積... 化學(xué)氣相沉積采用等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積技術(shù),基本溫度低,沉積速率快,在光學(xué)玻璃、硅、石英以及不銹鋼等不同襯底材料上沉...
  • 等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相... 化學(xué)氣相沉積采用等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積技術(shù),能夠利用高能量等離子體促進(jìn)反應(yīng)過程,有效提升反應(yīng)速度,降低反應(yīng)溫度。適用...
  • CVD化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) CVD氣相沉積系統(tǒng)廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)和工程領(lǐng)域,用于制備各種功能性薄膜,如金屬薄膜、氧化物薄膜、氮化物薄膜、碳納米管等。...
  • PECVD氣相沉積 PECVD氣相沉積在超大規(guī)模集成電路、光電器件、MEMS等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用
  • 雙溫區(qū)CVD化學(xué)氣相沉... CVD(化學(xué)氣相沉積)氣相沉積系統(tǒng)是一種常用的薄膜制備技術(shù),通過在高溫下將氣體反應(yīng)物質(zhì)與基底表面反應(yīng),形成薄膜
  • 三溫區(qū)PECVD石墨烯... 三溫區(qū)PECVD廣泛用于石墨烯制備,顆粒包覆等科學(xué)實驗上
  • 熱陰極直流等離子體化學(xué)... 熱陰極直流等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備(DCCVD)是在常規(guī)冷陰極輝光放電基礎(chǔ)上發(fā)展起來的,主要用于金剛石單晶或多晶膜的沉積...
  • 卷對卷PECVD石墨烯... 卷對卷PECVD石墨烯制備設(shè)備主要應(yīng)用于計算機(jī)和智能手機(jī)屏幕,超輕、柔性的太陽能電池,以及新型的發(fā)光設(shè)備和其他薄膜電子產(chǎn)...
  • PECVD-R?旋轉(zhuǎn)等... 本產(chǎn)品為PECVD-R?旋轉(zhuǎn)等離子加強(qiáng)CVD設(shè)備。PECVD-R?旋轉(zhuǎn)等離子加強(qiáng)CVD設(shè)備十分適合在氣氛保護(hù)的環(huán)境下連續(xù)...
  • PE-HPCVD等離子... PE-HPCVD等離子增強(qiáng)物理化學(xué)氣相沉積由一臺雙溫區(qū)管式爐,一套鎢絲蒸發(fā)源,一套等離子發(fā)生裝置以及一套質(zhì)量流量計組成。...
  • PECVD鍍膜儀 CY-PECVD-450化學(xué)氣相沉積采用等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積技術(shù),能夠利用高能量等離子體促進(jìn)反應(yīng)過程,有效提升反應(yīng)...
  • 單溫區(qū)旋轉(zhuǎn)PECVD石... 單溫區(qū)旋轉(zhuǎn)PECVD,安裝有真空自動投料器,爐管尾部預(yù)留KF40接口可以連接收料罐。投料器采用螺桿進(jìn)料,可以以額定的速率...
  • 卷對卷式PECVD 卷對卷式PECVD是等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積設(shè)備(PECVD),并加裝了收放卷裝置。本設(shè)備可用于線材的連續(xù)化熱處理工藝中...
  • 等離子增強(qiáng)CVD系統(tǒng) 等離子增強(qiáng)CVD系統(tǒng)由等離子發(fā)生器,三溫區(qū)管式爐、單溫區(qū)管式爐、射頻電源、真空系統(tǒng)組成。等離子增強(qiáng)CVD系統(tǒng)為了使化學(xué)反...
  • 等離子增強(qiáng)型CVD系統(tǒng) CY-PECVD50R-1200-Q是一款等離子增強(qiáng)型CVD系統(tǒng)。此系統(tǒng)由150W射頻電源、單溫區(qū)管式爐、3通道質(zhì)子流量...

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